[发明专利]金属前介质层内连接孔及其形成方法有效
| 申请号： | 200710042151.3 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101330041A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属前介质层内连接孔，所述连接孔位于连接基体上，包括：位于所述连接基体上的通孔和覆盖所述通孔侧壁及底部的粘接层，所述连接孔还包括钨填充层，所述钨填充层形成于所述粘接层上；所述连接孔还包含至少一层导电层，所述导电层的电导率高于钨填充层，所述导电层覆盖所述钨填充层。可具有减小的连接孔内接触电阻。一种金属前介质层内连接孔的形成方法，包括：提供连接基体；在所述连接基体上形成通孔；形成覆盖所述通孔侧壁及底部的粘接层；在所述粘接层上形成钨填充层；在所述钨填充层上形成至少一层导电层，所述导电层的电导率高于所述钨填充层。可形成具有减小的接触电阻的连接孔。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 介质 连接 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属前介质层内连接孔，所述连接孔位于连接基体上，包括：形成于所述连接基体上的通孔和覆盖所述通孔侧壁及底部的粘接层，所述连接孔还包括钨填充层，所述钨填充层形成于所述粘接层上；其特征在于：所述连接孔还包含至少一层导电层，所述导电层的电导率高于钨填充层，所述导电层覆盖所述钨填充层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
