[发明专利]CMOS器件钝化层形成方法

摘要

一种CMOS器件钝化层形成方法，包括：提供半导体基体，所述半导体基体包含至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管；形成第一应力膜层，并形成第一应力体；去除覆盖第二晶体管的第一应力膜层；形成第二应力膜层，并形成第二应力体；形成覆盖所述第二应力体，并填充所述第二应力体和已覆盖第二应力膜层的第一应力体间的间隔区域，且所述牺牲层表面与覆盖第二应力膜层后的第一应力体上表面平齐的牺牲层；形成图形化的抗蚀剂层；以所述抗蚀剂层为掩膜，去除部分牺牲层和第二应力膜层；去除所述抗蚀剂层；以所述第一应力膜层为刻蚀停止层，去除牺牲层和部分第二应力膜层。可使具有不同应力类型的钝化层间交界处的平滑度满足工艺要求。

主权项

1.一种CMOS器件钝化层形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基体，所述半导体基体包含至少一个CMOS器件，所述CMOS器件包含至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管；形成覆盖所述第一晶体管和第二晶体管的第一应力膜层，并在所述第一晶体管上形成第一应力体；去除覆盖第二晶体管的第一应力膜层；形成覆盖所述第一应力膜层和第二晶体管的第二应力膜层，并在所述第二晶体管上形成第二应力体；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述第二应力体，并填充所述第二应力体和已覆盖第二应力膜层的第一应力体间的间隔区域，且所述牺牲层表面与覆盖第二应力膜层后的第一应力体上表面平齐；形成图形化的抗蚀剂层，抗蚀剂层图形包含所述第一应力体和第二应力体的上表面图形，且位于所述第一应力体和第二应力体的正上方；以所述抗蚀剂层为掩膜，以覆盖所述第一应力膜层的第二应力膜层为刻蚀停止层，去除部分牺牲层和第二应力膜层；去除所述抗蚀剂层；以所述第一应力膜层为刻蚀停止层，去除牺牲层和部分第二应力膜层。