[发明专利]掺钕和钐的铋层状压电陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200710042361.2 | 申请日： | 2007-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101074164A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 孙琳;冯楚德;陈立东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;H01L41/187 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及掺钕和钐的铋层状压电陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷领域。该材料的组成为Sr1－yBi2－x+yRexNb2O9，其中，Re＝Nd或Sm，0＜x≤0.4，0≤y≤0.5，按照固相工艺制备方法，制备的铋层状压电陶瓷材料具有低介电常数，低的机电耦系数，高的机械品质因数以及很好的谐振频率温度稳定性等优点，是一种应用于压电陶瓷滤波器和振荡器的优良候选材料。 | ||
| 搜索关键词： | 层状 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、掺钕和钐的铋层状压电陶瓷，其特征在于：化学式为Sr1-yBi2-x+yRexNb2O9，其中：Re＝Nd或Sm，0＜x≤0.4，0≤y≤0.5。
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