[发明专利]一种低应力LED倒装功率芯片及其制备无效
| 申请号： | 200710042794.8 | 申请日： | 2007-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101101945A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 黄素梅;孙卓;靳彩霞;褚家宝;陈奕卫 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/00;H01L23/36;H01L21/782;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程宗德 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低应力LED倒装功率芯片，以及该倒装功率芯片的制备方法，属于半导体器件及其制造工艺技术领域。主要包括：制作有P-N电极的外延片、制作有反射层的硅衬底和填充层，其特征在于在制作有P-N电极的外延片和制作有反射层的硅衬底之间的填充层为合金填充层，通过合金填充层倒装焊接、键合功率LED倒装芯片。制作时先制作带P-N电极的外延片，再制作带有反射层的硅衬底，然后将两者通过填充合金纯加热法键合进行倒装焊接在一起。本发明提供的低应力LED倒装功率芯片，它改善倒装芯片的应力问题，并降芯片的热阻，可有效提高大功率LED倒装芯片的散热能力、稳定性、成品率。有效地提高了大功率LED倒装芯片的散热能力、可靠性和成品率，降倒装芯片的应力和热阻，从而极大地提高了芯片的质量和器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 led 倒装 功率 芯片 及其 制备 | ||
【主权项】：
1.一种低应力LED倒装功率芯片，包括：制作有P-N电极的外延片、制作有反射层的硅衬底和填充层，其特征在于在制作有P-N电极的外延片和制作有反射层的硅衬底之间的填充层为合金填充层，通过合金填充层倒装焊接、键合功率LED倒装芯片；而且合金可为Au、Al、Cu、Pb、Sn或者In一种以上的组合。
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