[发明专利]一种半导体硅片的减薄制造工艺

摘要

本发明涉及一种半导体硅片的减薄制造工艺，先将二块硅片正面互粘呈一体，然后用现有的常规减薄加工方法对互粘呈一体的硅片视作为一块加工处理，对二个背面分别进行金属化处理后放置于溶胶液中，经溶胶后自然分离，得到二块分立的薄型硅片。由于可在二块硅片正常切割厚度的状态下先加工并金属化处理正面，后在互相粘合状态下利用常规加工方法进行背面的减薄和金属化处理，不仅使硅片的成品厚度可以减薄到现有加工方法中单块的一半厚度，彻底改变以往不能加工出150um以下硅片的状况，而且二块硅片在粘合状态下同时进行减薄和背面金属化处理，有利于提高工作效率和成品率，与现有技术的加工方法相比，至少可提高30％，且可充分利用现有的技术设施和加工手段，有很强的可操作性和实用性。

主权项

1.一种半导体硅片的减薄制造工艺，其特征在于工艺流程如下：(1)首先对被加工的硅片(1-1)和(1-2)进行正面金属化处理，再对二块硅片(1-1)和(1-2)已进行过金属化处理的正面(2-1)和(2-2)上分别涂粘合胶(5)；(2)将二块硅片(1-1)和(1-2)上已涂胶过的正面(2-1)和(2-2)互相粘合呈一体硅片(4)；(3)将二块正面(2-1)和(2-2)粘全在一起、呈一体硅片(4)的二个背面(3-1)和(3-2)利用常规的加工办法分别进行减薄加工处理；(4)对二块互相粘合呈一体状态下的二个被减薄加工过的背面(3-1)和(3-2)分别进行金属化处理；(5)将上述已完成加工处理的二块互相粘合呈一体硅片(4)浸泡在与粘合胶相符的溶胶液中将胶溶解，二块硅片(1-1)和(1-2)自然分离，获得二块薄型硅片(1)成品。