[发明专利]一种氧化硅介孔晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200710042885.1 | 申请日： | 2007-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101077778A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 车顺爱;邱惠斌 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;C01B39/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 罗荫培 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化硅介孔晶体及其制备方法。该氧化硅介孔晶体的孔道截面具有椭圆特征，孔道排列结构为四方晶系的p2gg，孔径为3～4nm，比表面积为800～1200m2/g，晶体呈现出飞碟状外形，直径为0.1～2μm。该氧化硅介孔晶体通过阳离子表面活性剂的结构导向作用，以有机硅烷作为氧化硅材料源在碱性条件下合成而出。其在生物制药、工业催化、电子信息等领域有着广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 硅介孔 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化硅介孔晶体，其特征在于结构特征如下： 孔道截面具有椭圆特征，孔道排列结构为四方晶系的p2gg，孔径为3～4nm， 比表面积为800～1200m2/g，晶体呈现出飞碟状外形，直径为0.1～2μm。
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