[发明专利]铝互连线结构及其制成方法无效
| 申请号： | 200710043272.X | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101335260A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张文杰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路中铝互连线的结构及其制成方法，该方法首先提供一硅衬底，并在硅衬底上形成一钛金属层，随后将该钛金属层暴露于含有氧气的气体环境中，形成氧化钛层，再将氮化钛层沉积于氧化钛层上，最后在所述氧化钛层上形成铝传导层，即可完成本发明铝互连线结构的制成。与现有技术相比，本发明的方法容易实施，能够在改善铝互连线微结构的同时，增强铝与其相邻物质间的界面稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 制成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路制成中的铝互连线结构，所述铝互连线结构包括：钛金属层；形成于所述钛金属层之上的氮化钛层；形成于所述氮化钛层之上的铝传导层；其特征在于，所述钛金属层与所述氮化钛层之间还包括一氧化钛层。
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