[发明专利]一种输入/输出器件的制造方法有效
| 申请号： | 200710043322.4 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101335199A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 丁宇;居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/18;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种输入/输出器件的制造方法，涉及半导体器件的制造工艺。采用现有工艺制造的I/O器件，在高电压的情况下易受热载流子效应的影响。本发明的制造方法包括下列步骤：a.N输入/输出区离子注入；b.额外侧壁沉积；c.加热；d.额外侧壁刻蚀；e.N核心区离子注入；f.P核心区离子注入；g.P输入/输出区离子注入；h.侧壁沉积和刻蚀。本发明通过将N I/O离子注入步骤提到额外侧壁沉积步骤之前，并在额外侧壁沉积和刻蚀步骤之间增加一加热步骤，可有效利用瞬间增强扩散效应，形成缓变结，从而改善热载流子效应。采用本发明的方法制造的I/O器件，可有效防止热载流子效应对器件的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 输入 输出 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种输入/输出器件的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：a.N输入/输出区离子注入；b.额外侧壁沉积；c.加热；d.额外侧壁刻蚀；e.N核心区离子注入；f.P核心区离子注入；g.P输入/输出区离子注入；h.侧壁沉积和刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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