[发明专利]一种可避免产生包状缺陷的等离子化学气相沉积方法有效
| 申请号： | 200710043405.3 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101333653A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 冯明;田继文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/511;C23C16/513;C23C16/34 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可避免产生包状缺陷的等离子化学气相沉积方法。现有技术会出现微波发生器间断而导致反应气体进行不充分反应而在晶圆上产生包状缺陷。本发明的可避免产生包状缺陷的等离子化学气相沉积方法，其在一具有多个晶圆沉积台的等离子化学气相沉积设备中进行，该气相沉积设备还对应每一晶圆沉积台设置一微波发生器，该等离子化学气相沉积包括预沉积和主沉积两步骤，其中，在预沉积步骤中，该多个微波发生器在不同时刻开启，并一直持续，在主沉积步骤中，该多个微波功率发生器在步骤开始时均全部开启，且在不同时刻关闭。采用本发明的方法可避免在进行等离子化学气相沉积时产生包状缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 产生 缺陷 等离子 化学 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可避免产生包状缺陷的等离子化学气相沉积方法，其在一具有多个晶圆沉积台的等离子化学气相沉积设备中进行，该气相沉积设备还对应每一晶圆沉积台设置一微波发生器，该等离子化学气相沉积包括预沉积和主沉积两步骤，其中，在预沉积步骤中，该多个微波发生器在不同时刻开启，并一直持续，其特征在于，在主沉积步骤中，该多个微波功率发生器在步骤开始时均全部开启，且在不同时刻关闭。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
