[发明专利]一种硒化镉纳米线的制备方法

摘要

本发明属于半导体纳米材料技术领域，具体为一种制备硒化镉纳米线的方法。将一定量的浓度为0.5mol/L～1mol/L的氯化镉(或其他镉盐)溶液和硒粉按照摩尔比5∶4的比例，加入到高压釜中，加入乙二胺作为反应溶剂，并使反应釜的填充率达到75～80％。密闭反应釜放入180－200℃的马弗炉中，保持2～4小时。随后将反应釜自然冷却至室温，打开反应釜，将所得沉淀用水及乙醇交替洗涤2～3次。真空干燥后即得到硒化镉纳米线。本发明采用的化学材料品种少，易于保存，成本低，合成时间短，具有工业应用价值。所得硒化镉纳米线具有极大长径比，长度平均为15μm左右，直径平均为40nm。

主权项

1.一种硒化镉纳米线的制备方法，其特征在于具体步骤如下：(1)反应溶液的制备：将浓度为0.5mol/L~1mol/L的镉盐溶液和硒粉按照摩尔比5∶4的比例放入高压反应釜中，然后向该反应釜中加入乙二胺，使得该反应釜的填充度达到75％~80％；(2)反应溶液的处理：将上述反应釜密封以后超声处理20~30分钟，使反应溶液混合均匀；(3)纳米线的生长：将上述反应釜放入温度为180-200℃的马弗炉中，在该温度下静置2~4小时，然后从马弗炉中取出，在室温下自然冷却；(4)产物的处理：打开反应釜，将所得沉淀物先用水洗涤，然后用乙醇洗涤，如此交替洗涤2~3次，然后真空干燥，即得到硒化镉纳米线。