[发明专利]用于MEMS微机械加工的多层绝缘体上的硅材料及方法无效
| 申请号： | 200710043680.5 | 申请日： | 2007-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101110428A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 武爱民;陈静;孙佳胤;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/00;H01L21/20;H01L21/84;H01L21/762;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应用于MEMS领域的多层SOI材料及制备方法，其特征在于采用SOI(Silicon－On－Insulator绝缘体上的硅)材料或者具有类SOI的多层复合结构衬底，采用硅硅直接键合或熔融键合、结合研磨和抛光或者智能剥离的方法获得具有晶体硅层和绝缘埋层相叠分布的多层结构的SOI材料。该材料可便利的实现特定的MEMS复杂器件的制造，精确控制器件中的某些特征尺寸，从而完善SOI之于MEMS的应用。对于一些沟槽隔离的微机械加工的微电子器件，该材料也是其实现单片集成的有效解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mems 微机 加工 多层 绝缘体 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于MEMS微机械加工的多层SOI材料，其特征在于所述的SOI材料具有单晶硅-绝缘埋层-单晶硅-绝缘埋层-单晶硅相叠分布的双埋层结构的SOI材料，或单晶硅-绝缘埋层-单晶硅-绝缘埋层-单晶硅-绝缘埋层-单晶硅的三埋层结构的SOI材料，或更多叠加层的复合结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
