[发明专利]光刻方法无效
申请号: | 200710043681.X | 申请日: | 2007-07-11 |
公开(公告)号: | CN101344721A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 周孟兴 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/16;H01L21/027 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201203上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种光刻方法,涉及半导体制造领域。传统的光刻方法获得蚀刻图形的均匀度较差。本发明的光刻方法包括如下步骤:提供待加工晶圆;在晶圆的被蚀刻层表面镀光刻胶,且晶圆中心部分的光刻胶厚度与晶圆周边部分的光刻胶厚度不同;进行曝光步骤;显影步骤;进行蚀刻步骤;移除剩余的光刻胶。与现有技术相比,本发明可以获得均匀度较好的电路图形,且由于晶圆各个位置图形的失真情况比较一致,方便采用传统方法对如光学趋近校正及曝光机趋近校正等等校正方法,进一步控制蚀刻图形的一致性。 | ||
搜索关键词: | 光刻 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光刻方法,其包括如下步骤:提供待加工晶圆;在晶圆的被蚀刻层表面镀光刻胶;进行曝光步骤;显影步骤;进行蚀刻步骤;移除剩余的光刻胶;其特征在于,在镀光刻胶的步骤中,晶圆中心部分的光刻胶厚度与晶圆周边部分的光刻胶厚度不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司,未经上海宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710043681.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:醋酸盐离子液体的合成方法
- 下一篇:环保型液体燃料及其制备方法