[发明专利]半导体金属硅化物的监测结构无效
| 申请号： | 200710044054.8 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101350341A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 曹立;何军;黄圣扬 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体金属硅化物的监测结构，本发明的金属硅化物的监测结构包括位于金属硅化物内的复数个通孔，与通孔连接的金属线。采用本发明的半导体金属硅化物的监测结构可以监测半导体有源区的有源电阻、漏电流等，从而保证金属硅化物的形成质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 金属硅 监测 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体金属硅化物的监测结构，其特征在于，包括位于金属硅化物内的复数个通孔，与通孔连接的金属线。
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