[发明专利]轻掺杂源漏极离子注入方法无效
| 申请号： | 200710044094.2 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101350300A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/04 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体器件的LDD离子注入方法，涉及半导体的制造工艺。该方法是以倾斜的方式进行离子注入，以垂直半导体器件表面的竖直面为基准，倾斜角度在大于0度小于等于45度的范围内。所述LDD离子注入分为数步骤进行，每进行一步骤，将该半导体器件旋转一定角度，然后再进行下一步骤。相较采用相同能量和剂量的垂直LDD离子注入方法，采用本发明公开的倾斜式LDD离子注入方法，可以获得更加优化的半导体器件电场特性，从而在保持半导体器件的电学特性的同时，有效地抑制了热载流子注入效应。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 源漏极 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的轻掺杂源漏极(LDD)离子注入方法，其特征在于，该LDD离子注入方法以倾斜的方式进行离子注入，以垂直半导体器件表面的竖直面为基准，倾斜角度在大于0度小于等于45度的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
