[发明专利]一种高锆含量铅系复合反铁电薄膜的低温制备方法无效

专利信息
申请号: 200710044210.0 申请日: 2007-07-26
公开(公告)号: CN101100396A 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 翟继卫;郝喜红 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C04B41/50 分类号: C04B41/50;C23C14/34
代理公司: 上海光华专利事务所 代理人: 余明伟;许亦琳
地址: 200092上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种高锆含量铅系复合反铁电薄膜的制备方法技术领域。本发明所述的高锆含量铅系复合反铁电薄膜的低温制备方法,采用溶胶凝胶法配制前驱溶液,采用旋转涂覆的方式在LaNiO3/SiO2/Si或LaNiO3/Si基片上涂覆凝胶膜;然后将凝胶膜在450℃-500℃放置5~20分钟,取出后冷却,再涂覆下一层,循环往复直到获得所需厚度的薄膜;再将涂覆好的薄膜在500℃下处理,最后溅射上电极。本发明利用溶胶凝胶的方法,以LaNiO3/SiO2/Si或LaNiO3/Si为基底,使凝胶膜在钙钛矿结构的LaNiO3电极材料的诱导下在450℃下结晶,再在500℃下长大,使薄膜具有良好的电学性能。
搜索关键词: 一种 含量 复合 反铁电 薄膜 低温 制备 方法
【主权项】:
1、一种高锆含量铅系复合反铁电薄膜的低温制备方法,包括如下步骤:a、采用溶胶凝胶法配制不同组分的(Pb0.97La0.02)(Zr1-x-ySnxTiy)O3(x≤0.45,y≤0.10)的前驱溶液,前驱体溶液的最终浓度控制在0.05-0.3M;b、采用旋转涂覆的方式在LaNiO3/SiO2/Si或LaNiO3/Si基片上涂覆凝胶膜,将涂覆好的凝胶膜在450℃-500℃放置5~20分钟,取出后冷却至室温,再涂覆下一层凝胶膜,循环往复直到获得所需厚度的薄膜;c、再将涂覆好的薄膜在450℃-500℃下处理30-60分钟,最后溅射上电极。
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