[发明专利]测量硅基体与膜基结合强度的方法无效
| 申请号： | 200710044482.0 | 申请日： | 2007-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101144770A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 沈耀;杨杰;聂璞林;沈志强;蔡珣 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01N19/04 | 分类号： | G01N19/04;H01L21/66;G06F19/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种测量技术领域的测量硅基体与膜基结合强度的方法。本发明方法为：在硅基底背面使用刻蚀法制作带窗口的图案，在窗口中预留部分基体作为加载的平台，基底正面的薄膜暴露在背面的窗口中，当预留下的基体受压穿透基体并带动薄膜脱离基体时，记录发生的最大法向位移，由已有的公式得出自由能释放率，以此表征膜基体系的结合强度。本发明能克服已有检测设备定性测量或样品尺寸要求高的不足，可以依靠现有设备及成熟的制样工艺，利用接触式背面穿透法较快速地定量检测复杂形状下膜基结合强度的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 基体 结合 强度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测量硅基体与膜基结合强度的方法，其特征在于，在硅基底背面使用刻蚀法制作带窗口的图案，在窗口中预留部分基体作为加载的平台，基底正面的薄膜暴露在背面的窗口中，当预留下的基体受压穿透基体并带动薄膜脱离基体时，记录发生的最大法向位移，由已有的公式得出自由能释放率，以此表征膜基体系的结合强度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710044482.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
