[发明专利]一种高状态比的无机薄膜电双稳器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200710044502.4 | 申请日： | 2007-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101101963A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 徐伟;季欣 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子器件和功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种高状态比的无机薄膜电双稳器件及其制作方法。器件为Ag-CN1-Al结构，二端的银和铝做电极。其中的CN1为无机介质层，由真空热蒸发沉积的硫氰酸钾薄膜与部分银底电极反应获得的薄膜。这种夹层结构的薄膜器件具有稳定的可逆电双稳特性；高电阻态和低电阻态的阻值比通常为106～107倍，甚至可以更高。本发明的电双稳器件，其结构和制作工艺简单，在信息存贮、信息处理以及逻辑运算领域有广泛的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 状态 无机 薄膜 电双稳 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种高状态比的无机薄膜电双稳器件，其特征在于采用银-无机介质层-铝结构。其中，二端的金属层银和铝作为电极，中间的无机介质层作为功能介质层，是由硫氰酸钾和部分银底电极反应制备获得的薄膜。
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