[发明专利]一种电化学方法制作硅微通道过程中在微通道结构与衬底之间产生断层的方法

摘要

本发明公开了一种电化学方法制作硅微通道过程中在微通道结构与衬底之间产生断层的方法，其制作步骤为：a)选取晶向硅片；b)制作掩模层；c)利用光刻的办法，先定义孔的位置；d)电化学阳极氧化，阳极使用浓度控制在2～5mol/l的氢氟酸与DMF或酒精的混合液，混合体积比为1∶1；e)调节F离子浓度，刻蚀电流大于10mA/cm²，可以在界面附近产生较强的横向刻蚀，从而形成断层。本发明的意义在于，利用产生断层的时机的控制，还可以有效控制所制作的硅微通道板的厚度，无需进行可能造成微通道板损坏的减薄和抛光，提高成品率。

主权项

1.一种电化学方法制作硅微通道过程中在微通道结构与衬底之间产生断层的方法，其制作步骤为：a)硅片一般选取p-型(100)晶向硅片，也可以使用n-型(100)晶向硅片，电阻率1～30欧姆·厘米；b)采用热氧化方法制作SiO2(二氧化硅)、Si3N4(氮化硅)或其他材料作为掩模层；c)利用光刻的办法，先定义孔的位置，对于采用SiO2作为掩模的硅片，直接使用BOE进行腐蚀打开硅窗口，去除光刻胶并清洗后，再采用TMAOH或KOH在一定温度下进行预腐蚀，当孔呈倒金字塔结构时停止腐蚀；随后进行电化学深刻蚀。d)电化学阳极氧化，阳极采用浓度控制在2到5mol/l的氢氟酸与DMF或酒精的混合液，混合体积比为1∶1。e)当刻蚀过程达到实验所需要的深度的时候，通过稀释或让其自然耗尽，使F离子浓度降低到1.5mol/l以下，刻蚀电流大于10mA/cm2，可以在界面附近产生较强的横向刻蚀，从而形成断层。