[发明专利]一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200710044608.4 | 申请日： | 2007-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101364564A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘彦伯;钮晓鸣;宋志棠;闵国全;刘波;周伟民;李小丽;万永中;封松林 | 申请（专利权）人： | 上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/71 | 分类号： | H01L21/71 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法，属于微电子领域。其特征在于首先将所需的大面积高密度阵列结构定义在一块透明的固态面板上，然后在基底表面依次溅射绝缘材料、金属材料、过渡材料和相变材料，在相变材料表面覆盖图形转移介质，通过印刻将固态面板上的阵列结构定义在相变材料层表面的图形转移介质层上，最后通过刻蚀在基底上得到所需的大面积高密度相变材料阵列。只要定义一块阵列结构均匀、一致性好、边缘平整光滑的固态面板，就可重复使用，获得大面积、结构均匀一致、边缘平滑、质量优越的阵列结构。工艺简便、成本低，适合于对单元结构的一致性和边缘质量要求高的相变存储器件的产业化批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 高密度 相变 材料 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法，其特征在于(1)首先将所需的大面积高密度阵列结构定义在一块透明的固态面板上；(2)然后在基底表面依次溅射沉积绝缘材料、金属材料、过渡材料和相变材料，在相变材料表面覆盖图形转移介质，通过印刻将该阵列结构定义在相变材料层表面的图形转移介质层上，并且可以重复使用；(3)最后通过刻蚀得到所需的大面积高密度相变材料阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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