[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法有效

专利信息
申请号: 200710044636.6 申请日: 2007-08-07
公开(公告)号: CN101114655A 公开(公告)日: 2008-01-30
发明(设计)人: 田广彦 申请(专利权)人: 上海广电光电子有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/525;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 白璧华
地址: 200233上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法,该薄膜晶体管阵列基板包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线;多条沿第二方向延伸的数据线,栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域;设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极;其中所述栅极扫描线上或数据线下形成有金属图案,所述金属图案与数据线金属层图案、栅极扫描线金属层图案相互隔开;可以修复像素区间的数据线或栅极扫描线的断路情况,不增加现有阵列基板的制造工序,且修复简单方便。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 修复
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线;多条沿第二方向延伸的数据线,栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域;设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极;其特征在于所述栅极扫描线上或数据线下形成有金属图案,所述金属图案与数据线金属层图案、栅极扫描线金属层图案相互隔开。
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