[发明专利]一种合成有机－无机复合的氧化锗单晶纳米线的方法

摘要

本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种合成有机－无机复合的氧化锗单晶纳米线的方法。该方法是以氧化锗作为锗源，与氧化铁进行混合研磨后，通过有机胺的液－固相处理，最终获得有机－无机复合的单晶氧化锗纳米线。其成分主要包括无机部分(GeO₂)，以及有机部分(如乙二胺、1，6－己二胺、乙醇胺、正丁胺)。由本发明方法制备的复合纳米线具有规律的有机－无机复合亚纳米周期性结构、可调控的物化性质、大的比表面积以及粗细、长短可调控的特性，因此这种复合的氧化锗纳米线可在许多领域，例如纳米器件组装、先进催化剂的设计、生物荧光标记、微观传导以及先进光学、电学和磁学材料的合成中有应用价值。

主权项

1.一种有机-无机复合的单晶氧化锗纳米线的合成方法，其特征在于具体步骤如下：(1)将氧化锗粉末与VIII族金属氧化物混合，研磨5-10分钟，得混合均匀的粉体；其中，氧化锗和VIII族金属氧化物的质量比为0.5∶1～10∶1；(2)将混合物投入反应釜，随后注射有机胺和蒸馏水，拧紧反应釜并将其置于烘箱之中，反应温度150～250℃，反应时间1天～5天；其中，有机胺与水的体积比是0.1∶1～5∶1；混合物与有机胺固液质量比是0.02∶1～1.0∶1；(3)将反应好的固体取出，离心分离，用乙醇清洗2-3次，在60～90℃烘干8～24小时，得到产物。