[发明专利]介质层形成方法和金属层平整化方法无效
| 申请号： | 200710044810.7 | 申请日： | 2007-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101364566A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 蓝受龙;易义军;高莺 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种介质层形成方法，包括：提供半导体基底；形成覆盖所述半导体基底的金属层；对形成金属层后的半导体基底执行热处理操作；形成介质层，所述介质层覆盖热处理后的金属层和半导体基底。可减少所述介质层内针孔缺陷的产生。一种金属层平整化方法，包括：提供半导体基底；形成覆盖所述半导体基底的金属层；平整化所述金属层；对已形成金属层的所述半导体基底执行热处理操作。可增强所述金属层与后续金属层及外界的互连效果。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 形成 方法 金属 平整 | ||
【主权项】：
1.一种介质层形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；形成覆盖所述半导体基底的金属层；对形成金属层后的半导体基底执行热处理操作；形成介质层，所述介质层覆盖热处理后的金属层和半导体基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
