[发明专利]非平面表面金属微细图形化的方法有效
申请号: | 200710045107.8 | 申请日: | 2007-08-21 |
公开(公告)号: | CN101110355A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 李刚;周洪波;孙晓娜;姚源;赵建龙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/321;H01L21/28;H01L21/768;B81C1/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种非平面表面金属微细图形化的方法,首先在一含有非平面结构的基片表面形成上下两金属牺牲层,并使下层金属牺牲层的标准电极电势高于上层金属牺牲层的标准电极电势,然后通过旋涂光刻胶及湿法腐蚀等以形成图形化上层金属牺牲层,并使图形化上层金属牺牲层仅覆盖基片的待金属化非平面结构的表面,接着在上层金属牺牲层上通过旋涂聚合物等以形成聚合层,并在所述聚合层上旋涂光刻胶等以形成剥离工艺中的图形化光刻胶层,然后采用电化学阳极腐蚀上层金属牺牲层以去除附在其上的残余光刻胶,最后去除下层金属牺牲层,并在具有光刻胶层的表面沉积一的金属层,再采用剥离工艺去除光刻胶层以形成图形化金属层,如此可实现非平面结构中残留的光刻胶的有效去除。 | ||
搜索关键词: | 平面 表面 金属 微细 图形 方法 | ||
【主权项】:
1.一种非平面表面金属微细图形化的方法,其特征在于包括步骤:1)在一含有非平面结构的基片表面形成上下两金属牺牲层,其中,下层金属牺牲层覆盖所述基片的整个待金属化表面,且使其标准电极电势高于上层金属牺牲层的标准电极电势;2)通过旋涂光刻胶、曝光、显影及湿法腐蚀以形成图形化上层金属牺牲层,并使所述图形化上层金属牺牲层仅覆盖所述基片的待金属化非平面结构的表面;3)在所述上层金属牺牲层上通过旋涂聚合物、曝光及显影以形成聚合层;4)在所述聚合层上旋涂光刻胶、曝光及显影以形成剥离工艺中的图形化光刻胶层;5)采用电化学阳极腐蚀所述上层金属牺牲层以去除附在其上的残余光刻胶;6)去除所述下层金属牺牲层,并在形成有图形化光刻胶层的表面沉积一金属层,并采用剥离工艺去除所述图形化光刻胶层以形成相应的图形化金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造