[发明专利]铁电聚合物分子空间排列可控的薄膜生长方法

摘要

本发明公开了一种铁电聚合物分子空间排列可控的薄膜生长方法，该方法是利用朗格缪尔(LB)技术，溶剂采用二甲基亚砜(简称DMSO)，溶质采用聚合物P(VDF－TrFE)，其特征是：在利用朗格缪尔设备提拉过程中采用交替来回旋转一角度提拉的方式，使铁电聚合物P(VDF－TrFE)单分子空间排列可控，通过改变分子层之间的空间排列实现对铁电聚合物结构与性能的调控。

主权项

1.一种铁电聚合物薄膜分子空间排列可控的生长方法，其特征在于生长过程为：A.前驱体溶液的配制：溶剂为二甲基亚砜(简称DMSO)，溶质为聚合物P(VDF-TrFE)；配制的程序是：称取一定量的P(VDF-TrFE)聚合物0.01-0.02克，转移到一烧瓶中，加入100-200ml DMSO，在50-80℃下搅拌3-5小时，冷却至室温，静置24小时后，可以用作薄膜生长；B.薄膜的生长§a.用注射器抽取前驱体溶液，然后均匀滴在LB薄膜生长系统的盛有去离子水的槽中，放置1小时后，前驱体溶液均匀漂浮在去离子水的表面；§b.然后将装有基片的样品架伸入盛有去离子水的槽中，使基片的有金属电极层的一面与漂浮在去离子水表面的前驱体溶液接触，并使基片在表面压2-5mN/m下进行水平提拉，P(VDF-TrFE)水平转移到基片上，形成分子层；§c.然后再将基片旋转一角度，角度旋转范围为0-90°，重复§b步骤，形成相邻分子层间分子成一夹角排列；重复交替来回旋转一角度提拉多次，直至得到所需厚度的薄膜材料；再将薄膜材料置于烘箱中，在120-140℃下退火2-5小时；再利用热蒸发技术在薄膜表面生长金属层作为上电极；所说的基片由玻璃，在玻璃上依次涂聚酰亚胺层、热蒸发生长金属电极层构成；金属电极层为铝或金。