[发明专利]一种高耐压碳化硅光导开关

摘要

本发明涉及一种高耐压碳化硅光导开关，属于半导体器件制备技术领域。光导开关采用相对面型设计，在经处理后的碳化硅抛光片的两面制作欧姆接触，形成两个电极。这种相对面型碳化硅光导开关可以成倍地提高开关的耐压能力，使光导开关的体积得以缩小，为光导开关的集成化创造条件，可用于半导体器件领域。

主权项

1.一种高耐压碳化硅光导开关，包括半绝缘碳化硅晶片和相对面型欧姆接触电极，其特征在于：所述的欧姆接触电极为合金电极；半绝缘碳化硅晶片的使用面为{0001}晶面、晶面和晶面，使用面也可与上述晶片取向有0～8°的偏离；欧姆接触电极面积占所在的碳化硅单晶面面积的5％-20％，欧姆接触电极与其所在的碳化硅单晶面边缘不接触。相对面的欧姆接触电极投影面不重叠，两电极在投影面上的最短距离为1～3mm。