[发明专利]晶圆腔体环境的改善方法无效
| 申请号： | 200710045486.0 | 申请日： | 2007-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101378000A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 宋兴华;李晓波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆腔体环境的改善方法，用于晶圆的金属沉积制程，涉及半导体器件的制造领域。该改善方法包括：提供与腔体相连的残余气体分析(RGA)装置；设定腔体残余气体压强的规格值，输入RGA装置；启动RGA装置，对腔体残余气体的压强条件进行检测，若超出规格值，RGA装置发出警报；提供与腔体连接的冷凝泵，吸附腔体内残余气体分子，将腔体压强降低至规格值。本发明采用RGA装置可有效检测出腔体内残余气体的正确压强，每次进行腔体维护后，采用本发明的改善方法对腔体进行改善，可有效提高晶圆的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆腔体 环境 改善 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆腔体环境的改善方法，用于晶圆的金属沉积制程，其特征在于，该改善方法包括如下步骤:a.提供与腔体相连的残余气体分析(RGA)装置；b.设定腔体残余气体压强的规格值，输入RGA装置；c.启动RGA装置，对腔体残余气体的压强条件进行检测，若超出规格值，RGA装置发出警报；d.提供与腔体连接的冷凝泵，吸附腔体内残余气体分子，将压强降低至规格值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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