[发明专利]高压MOS晶体管电路仿真宏模型有效
| 申请号： | 200710045492.6 | 申请日： | 2007-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101110092A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 任铮;胡少坚 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高压MOS晶体管电路仿真宏模型，属于集成电路领域。该仿真宏模型包括一个MOS晶体管仿真模型，一个n沟道JFET仿真模型和一个二极管仿真模型，所述的n沟道JFET串联在所述MOS晶体管的漏极上，所述的二极管串联在所述MOS晶体管的源极和栅极之间。本发明的高压MOS晶体管电路仿真宏模型具有清晰的物理意义，其特性可随着尺寸参数变化而变化，在所有业界常用的电路仿真器、EDA软件、模型软件中都能得到支持和应用，且提取方便、快捷，准确而仿真速度快。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 mos 晶体管 电路 仿真 模型 | ||
【主权项】：
1.一种高压MOS晶体管电路仿真宏模型，其特征在于：包括一个MOS晶体管仿真模型，一个n沟道JFET仿真模型和一个二极管仿真模型，所述的n沟道JFET串联在所述MOS晶体管的漏极上，所述的二极管串联在所述MOS晶体管的源极和栅极之间。
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