[发明专利]一种采用电阻存储介质的一次编程存储器及其操作方法

摘要

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种一次编程存储器及其存储操作方法，在该器件中采用具有多次编程能力的二元或者二元以上的多元金属氧化物作为存储介质。通过施加大小和极性不同的电压于存储介质的两端，来对其进行编程和擦除操作。本发明的存储介质具有多次编程的能力，所以可以对本发明的存储器进行智能擦除和多次编程测试，提高存储器的产品良率和可靠性。本发明的器件具有低功耗、高良率、高容量的阵列块的优点。

主权项

1.一种采用存储电阻介质的一次编程存储器，其特征在于具有以二元或者二元以上的多元金属氧化物作为存储介质的存储电阻，该存储电阻和一个选通晶体管用于具有位线、字线、源线的阵列中；该存储电阻两个电极，其第一个电极连接到位线，第二个电极连接到选通晶体管的漏端；；所述选通晶体管具有栅极、漏极和源极，其栅极连接到所述的字线，漏极连接到存储电阻的第二个电极，源极连接到所述的源线；通过控制所述的位线和所述的源线之间的电压差，来使得存储电阻的阻值变为高阻或低阻，从而存储不同的数据。