[发明专利]一种电阻随机存储器的复位操作方法无效
| 申请号： | 200710045649.5 | 申请日： | 2007-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN101118784A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;尹明;丁益青;唐立 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/4072 | 分类号： | G11C11/4072 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种电阻随机存储器不挥发存储器的复位操作方法。本发明设计了一种脉冲幅度以步进式增长的复位编程方式，可以大大提高电阻存储单元的反复擦写次数，延长其使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 随机 存储器 复位 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻随机存储器的复位操作的方法，其特征在于具体步骤如下：(1)根据电阻随机存储器的初始存储数据状态，进行读操作，选择需要进行复位操作的单元；(2)对需要进行复位操作的存储单元，施加一个电压或者电流脉冲，脉冲的初始高度由电阻随机存储器存储单元或者阵列中的最小复位操作电流或电压决定，初始电压幅度为0V～1.5V；(3)对所述存储单元进行读操作，如果存储单元由原来低阻状态转变为高阻状态，则复位操作成功，如果存储单元电阻状态未发生转变或未达到高阻状态，则继续施加复位操作脉冲；(4)增加一定的脉冲幅度并施加此脉冲，对所述存储单元进行读操作，如果存储单元由原来低阻状态转变为高阻状态，则复位操作成功，如果存储单元电阻状态未发生转变或未达到高阻状态，则继续施加复位操作脉冲；取脉冲增加幅度为0.1V～1V；(5)未复位操作成功的情况下继续增加一定的脉冲幅度，并检测脉冲幅度是否超出最大脉冲幅度，如果小于最大脉冲幅度，施加此脉冲于存储单元，如果大于最大脉冲幅度，则复位操作失败；最大脉冲幅度值由电阻随机存储器存储单元或者阵列中的最大复位操作电流或电压决定，取1V～3V；进一步对所述存储单元进行读操作，如果存储单元由原来低阻状态转变为高阻状态，则复位操作成功，如果存储单元电阻状态未发生转变或未达到高阻状态，则重复此步骤，直到复位操作成功。
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