[发明专利]应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法，主要采用真空蒸发气相沉积方法来制备薄膜，属真空蒸发物理气相沉积工艺技术领域。本发明的特点是利用掺加杂质和热处理的办法来降低硫化锡薄膜的电阻率。本发明通过试验表明：当在SnS中掺杂0.2wt％的Sb₂O₃时，真空蒸发沉积所制得的薄膜在氢气氛围中再进行热处理，热处理的温度为400℃；热处理的时间为3小时；最终制得的SnS薄膜的电阻率为6.4Ω·cm，该SnS薄膜适用于作为太阳能电池的吸收层材料。

主权项

1.一种应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法，其特征在于具有一下的工艺过程步骤：a.将用传统常规的真空蒸发法来沉积制备薄膜，原料采用有氧化锑掺杂的硫化锡，氧化锑的掺杂量为硫化锡重量的0.1％～0.3％；b.将上述沉积制得的已掺杂有Sb203的SnS薄膜放置于氢气氛围中进行热处理，热处理的温度为380℃～420℃；热处理的时间为2.0～3.5小时；c.然后将上述掺杂Sb2O3的SnS薄膜冷却至室温，即得到应用于太阳能电池的低阻SnS薄膜，其电阻率为6.4～21.0Ω·cm。