[发明专利]一类稀土掺杂的硫卤玻璃、制备方法及应用无效
申请号: | 200710045868.3 | 申请日: | 2007-09-12 |
公开(公告)号: | CN101148318A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 唐高;陈玮;杨志勇;罗澜 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C03C3/32 | 分类号: | C03C3/32;C03C4/08;C03B5/235 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种稀土掺杂的硫卤玻璃、制备方法及应用。其特征在于在硒基硫卤基质玻璃中掺杂稀土元素而形成红处波段光放大的玻璃材料,其组成通式为:xGeSe2-yGa2Se3-zKX,其中X=Cl,Br或I,且x+y+z=1,0.2≤x<1,0<y≤0.4;掺杂的稀土离子为Ho3+、Dy3+、Pr3+、Sm3+、Er3+、Tm3+中的两种或三种,其摩尔百分比为0.01%~2%。所提供的稀土掺杂硫卤玻璃采用合适的激光泵浦时,样品在1.2~1.7μm之间特别是1.3μm和1.55μm两个重要的通讯窗口波段处有发光,荧光半峰宽为50~100nm,荧光寿命为500~3000μs。使用本发明所涉及的稀土掺杂硫卤玻璃预制棒拉制的光纤可应用于1.2-1.7μm多波段光纤放大器。 | ||
搜索关键词: | 一类 稀土 掺杂 玻璃 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种稀土掺杂的硫卤玻璃,其特征在于在硒基硫卤基质玻璃中掺杂稀土元素而形成红外波段光放大的玻璃材料,其组成通式为:xGeSe2-yGa2Se3-zKX,其中X=Cl,Br或I,且x+y+z=1,0.2≤x<1,0<y≤0.4;掺杂的稀土离子为Ho3+、Dy3+、Pr3+、Sm3+、Er3+、Tm3+中的两种或三种,其摩尔百分比为0.01%~2%。
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