[发明专利]单极编程的电阻存储器及其存储操作方法无效
| 申请号： | 200710045934.7 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101692348A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 林殷茵;陈邦明 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/02;G11C16/06;G11C16/10;H01L27/24;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种单极编程电阻存储器及其存储操作的方法。本发明采用二元或者二元以上的多元金属氧化物(如CuxO(1＜x≤2)、WOx(2≤x≤3)等)作为存储电阻的电阻转换存储器结构，每个存储单元中包括一个选通器件和两个或两个以上的上述存储电阻和二极管。存储电阻与二极管串联连接形成一个模块，每个模块的第一输出电极与上述的同一个选通器件连接，并通过该选通器件与字线耦连；每个上述模块的第二输出电极与不同的位线耦连，形成若干个存储电阻和二极管共享上述的同一个选通器件的结构。二极管通过p型金属氧化物半导体与n型金属氧化物半导体直接连接形成具有单向导通的pn异质结。该存储器具有高存储密度和存储操作时不会产生交叉串扰的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 单极 编程 电阻 存储器 及其 存储 操作方法 | ||
【主权项】：
一种单极编程的电阻存储器，采用二元或者二元以上的多元金属氧化物作为存储电阻，其特征在于包括：m条字线，2≤m≤210，n条位线，2≤n≤210，以及若干个存储单元，每个存储单元位于一条字线与数条位线的各个交叉区，每个存储单元中都包括一个选通器件、两个或两个以上的上述存储电阻和二极管，存储电阻与二极管串联连接，形成一个存储电阻和一个二极管组成的模块，每个模块的第一输出电极都与上述的同一个选通器件连接，并通过该选通器件与字线耦连；每个上述模块的第二输出电极与不同的位线耦连，形成若干个存储电阻和二极管组成的模块共享上述的同一个选通器件的结构。
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