[发明专利]采用低温工艺形成电学隔离区方法、单片集成方法及芯片

摘要

一种采用低温工艺形成电学隔离区方法、单片集成方法及芯片，其首先采用湿法腐蚀、等离子干法刻蚀或深槽反应离子刻蚀法将一绝缘硅基片具有的器件层相应部分腐蚀以形成相应隔离槽，并由隔离槽将基片分隔为多个电学隔离区，接着再在器件层上采用低于400℃的低温工艺生成一绝缘介质层，并使处于隔离槽位置处的绝缘介质层表面平坦，然后再在需要电学连接的各电学隔离区的绝缘介质层相应位置采用湿法腐蚀或干法刻蚀法形成相应连接孔，最后在绝缘介质层上淀积一金属层，并进行必要刻蚀后形成将各连接孔进行相应金属互连的金属连接线，进而实现相应各电学隔离区的必要电学连接，由此可实现将MEMS与集成电路器件的集成。

主权项

1. 一种在绝缘硅基片上采用低温工艺形成电学隔离区的方法，其特征在于包括步骤：1)根据设计要求采用湿法腐蚀、等离子干法刻蚀及深槽反应离子刻蚀法中的一种方法将一绝缘硅基片具有的器件层相应部分被腐蚀，并使腐蚀进行至所述绝缘硅基片具有的氧化硅埋层止以形成相应隔离槽，同时所述绝缘硅基片被所述隔离槽分隔为多个电学隔离区；2)在形成有所述隔离槽的器件层上采用低于400℃的低温工艺生成一绝缘介质层，并使处于所述隔离槽位置处的绝缘介质层表面平坦；3)根据设计需要在需要电学连接的各电学隔离区的绝缘介质层相应位置采用湿法腐蚀或干法刻蚀法形成相应连接孔；4)在具有连接孔的绝缘介质层上淀积一金属层，并使所述金属层填充并覆盖各连接孔，再对所述金属层采用湿法腐蚀或干法刻蚀以形成将各连接孔进行相应金属互连的金属连接线，进而实现相应各电学隔离区的必要电学连接。