[发明专利]基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的制备方法及其应用有效
申请号: | 200710045997.2 | 申请日: | 2007-09-14 |
公开(公告)号: | CN101148324A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 吴蕾;杨才表;陈强;赵辉;赵建龙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | C03C15/00 | 分类号: | C03C15/00;C03C27/00 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人: | 黄志达 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的制备方法及其应用,制备:以ITO玻璃为基质材料;在ITO玻璃未溅射ITO薄膜的一侧甩涂AZ4620光刻胶,曝光、显影;将PDMS单体、固化剂混合,浇注在ITO薄膜一侧,加热固化;将ITO玻璃置于腐蚀液中,刻蚀;剥离ITO薄膜上的PDMS;制备PDMS薄膜;PDMS薄膜和已刻蚀微管道的ITO玻璃在氧等离子体作用下键合得到细胞培养芯片;再在ITO玻璃未键合PDMS薄膜的一侧连入外部温度控制系统。该芯片克服PDMS芯片的疏水性问题和玻璃材质芯片的加工工艺复杂问题,并且便于直接控制芯片温度,可应用于细胞迁移、细胞分化、细胞之间相互作用研究。 | ||
搜索关键词: | 基于 ito 玻璃 基底 细胞培养 芯片 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的制备方法,包括步骤:以氧化铟锡ITO玻璃为细胞培养芯片的基质材料;以ITO玻璃未溅射ITO薄膜的一侧甩涂AZ4620光刻胶作为玻璃腐蚀的掩模层,根据设计的掩膜版进行曝光、显影;将聚二甲基硅氧烷PDMS单体、固化剂按比例均匀混合,浇注在ITO薄膜一侧,加热固化;将ITO玻璃置于腐蚀液中,刻蚀得微管道和“坝型”结构;剥离ITO薄膜上的PDMS;将PDMS单体、固化剂按比例均匀混合后,平铺在载玻片上加热固化得PDMS薄膜;将PDMS薄膜和已刻蚀微管道的ITO玻璃一侧在氧等离子体作用下键合得到细胞培养芯片;再在ITO玻璃未键合PDMS薄膜的一侧通过黏附金属导线连入外部温度控制系统。
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