[发明专利]氧化锌单晶衬底级基片的抛光方法无效
申请号: | 200710046015.1 | 申请日: | 2007-09-14 |
公开(公告)号: | CN101125416A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 陈光珠;杭寅;兰志成;李志鸿;华如江;张连翰;何明珠;李抒智;杨卫桥 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;B24B29/00;H01L21/304;C09G1/02;C09G1/04 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种氧化锌单晶衬底级基片的抛光方法,该方法包括上盘、减薄、机械抛光、化学抛光及清洗等步骤;本发明还涉及氧化锌衬底基片加工过程中的专用粘结剂、研磨液、抛光液和清洗液,利用本发明可以得到超光滑、超平整和超洁净的氧化锌单晶衬底基片,可以满足ZnO同质外延薄膜的生长需要。 | ||
搜索关键词: | 氧化锌 衬底 级基片 抛光 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氧化锌单晶衬底级基片的抛光方法,其特征在于包括下列步骤:①上盘:将切好的氧化锌晶片在倒角盘上倒角,在加热平台上均匀加热,温度:100~130℃,然后用同时加热的粘结剂将所述的氧化锌晶片均匀地粘结到光胶板上;②整平减薄:在平面研磨机上,采用铸铁研磨盘研磨,研磨压力:40~80g/cm2,转速:50~100转/分,研磨液采用W14的碳化硅悬浊液,研磨液流速:50~200ml/min,研磨时间:0.5~4小时,所述的氧化锌晶片表面无刀痕,厚度达到0.56mm;③机械抛光:在平面研磨机上,采用聚胺酯抛光盘研磨,研磨压力:50~90g/cm2,转速:50~110转/分,研磨液依次采用W7的碳化硼悬浊液和W3.5的金刚石悬浊液,W3.5的金刚石悬浊液的PH值为8~10,研磨液的流速:1~50ml/min,抛光时间:3~6小时,所述的氧化锌晶片要求达到表面无砂眼,无划痕,厚度达到0.505~0.51mm;④化学抛光:在平面研磨机上采用磨砂革盘研磨,研磨压力:60~100g/cm2,转速:80~120转/分,化学抛光液采用纳米级的SiO2乳浊液,溶液的PH值:10~12,化学抛光液的流速:5~50ml/min,抛光时间:0.5~4小时,该工序之后所述的氧化锌晶片的厚度为0.500mm,表面无亮路,平整度≤5微米,粗糙度≤0.5纳米;⑤清洗:在1000级超净工作室内,将带有化学抛光好的氧化锌晶片的光胶板在加热平台上均匀加热,温度:100~130℃,然后将氧化锌晶片下盘并放在汽油中浸泡3~5分钟,除去其背面的剩余粘结剂,接着放在丙酮或者无水乙醇中,用超声清洗5~10分钟,再用蒸馏水淋洗1~2分钟,在80~90℃的清洗液中,超声清洗5~10分钟,再用蒸馏水、去离子水淋洗6~8分钟,最后用高纯氮气吹干;⑥封装:最后在100级超净工作台上进行封装,包装袋采用100级以上的超净袋。
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