[发明专利]同时具有微米纳米结构的复合图形的构建方法

摘要

本发明涉及一种同时具有微米纳米结构的复合图形的构建方法，通过将光刻技术及反应性相分离技术相结合，制备同时具有微米及纳米结构的图形，用于集成线路板、信息贮存装置、生物芯片和微机电系统中。首先用浓硫酸和丙酮处理玻璃基片或硅基片表面，再将交联剂、线性共聚物、光引发剂配制成一定浓度的溶液在基片表面旋涂成膜，将制备出的膜在模版下进行光刻、显影，制得微米级的图形，再将微米级图形进行淬火，从而在微米级的图形表面生成纳米级的图形，得到同时具有微米级和纳米级结构的复合图形。本发明方法简单易行，可同时制备具有微米、纳米级的图形，可以节约大量的设备和仪器。

主权项

1.一种同时具有微米纳米结构的复合图形的构建方法，其特征在于包括如下步骤：1)对基片进行表面处理：将玻璃片或硅片的基底放在含浓硫酸和双氧水的混合溶液中煮沸处理10min-1h，浓硫酸与双氧水的质量比为1∶10-10∶1，然后置于丙酮中超声10min-30min，最后用去离子水冲洗、烘干，以去除基片表面的油污、杂质；2)将线性无规共聚物、交联剂，光引发剂溶于溶剂中，搅拌均匀形成均相溶液；溶液的固含量为0.1％-5％，其中线性无规共聚物与交联剂的质量比为1∶5-5∶1，光引发剂占线性无规共聚物和交联剂质量之和的5％-10％；3)将溶液在旋转涂膜仪上旋涂成膜，转速前2-8s为0.1-1.2krad/min，之后为2.0-4.5krad/min，总共旋转时间为15s-1min，然后将制备得到的膜烘干；4)将具有微米图形的模版覆盖于上述所得膜的表面，置于紫外灯下曝光5min-45min，使交联剂中的双键发生反应而交联，曝光之后在溶剂中显影0.5-10min，洗去未光照交联部分，得到微米级的图形；5)将得到的具有微米级图形的膜在80-250℃下淬火3-48h，使线性无规共聚物与交联剂实现反应性相分离，然后将该膜置于溶剂中浸泡1-24h，最后用溶剂冲洗，烘干，从而在微米级的图形表面生成纳米级的图形，得到同时具有微米级和纳米级结构的复合图形。