[发明专利]半导体工件热处理方法和装置有效
申请号: | 200710046404.4 | 申请日: | 2007-09-26 |
公开(公告)号: | CN101399160A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 马悦;何川;逄振旭;王晖;V·纳其 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/324;H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆 嘉 |
地址: | 201600上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种装置和方法,用于两个水平布置的热处理室内迅速并双面地热处理半导体工件,其中每个室包含一第一热处理源和一第二热处理源,两室之间以一可伸缩门隔开。该种双面热处理机制提高了热处理的效率以及均匀性,并减少了因热处理的应力不匹配所导致的半导体工件的变形。同时,加热室和冷却室可以同时对不同的半导体工件进行热处理,这样,整个装置的工作效率大大提高。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工件 热处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1. 一用于半导体工件热处理的装置,包括:水平相邻的加热室和冷却室;一传送装置,用于在加热室和冷却室之间传送半导体工件;以及一可伸缩门,用于分隔加热室和冷却室;其中当加热过程或冷却过程开始的时候,可伸缩门移入加热室和冷却室之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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