[发明专利]一种硒基透可见硫卤玻璃及其制备方法无效
| 申请号： | 200710046464.6 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101397190A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 许银生;杨光;王伟;曾惠丹;杨云霞;陈国荣 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C03C3/32 | 分类号： | C03C3/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了可应用于热成像系统、红外光学、光电子学等领域的一种硒基透可见硫卤玻璃及其制备方法。应用主要为透红外光学元件和热成像系统的光学透镜材料。本发明是一种以Ge、In、Se和CsI为主要成分，确定了其玻璃形成区。制备方法包括：(a)石英安瓿的预处理，(b)玻璃配合料的纯化处理，(c)真空封接，(d)玻璃熔制等四个步骤。所得到的玻璃经表面研磨、抛光处理后做红外光谱、可见近红外光谱、密度和DTA等测试。结果显示，该含铟硫卤玻璃的成玻性能优良，在较大的范围内均可形成均匀的玻璃，其在0.56～16μm的红外区均具有优良的透过能力，覆盖了3～5μm和8～12μm两个大气窗口，热力学性能优良，通过调整玻璃组成，可以得到具有热稳定性高的玻璃，DTA测试无析晶峰出现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硒基透 可见 玻璃 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种可用于热成像系统的硒基透可见硫卤玻璃，由GeSe2，In2Se3，和CsI组成，其中：GeSe2的摩尔含量为 0～100％In2Se3的摩尔含量为 0～45％CsI的摩尔含量为 0～55％。
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