[发明专利]制备氮化硅的方法有效
| 申请号： | 200710046494.7 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101397130A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 罗栋;关英来;王杨;秦国强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种制备氮化硅的方法，包括下列步骤，通入保护气体并检测晶圆表面的氧气浓度；若所检测的氧气浓度小于或等于安全浓度，则对晶圆加热；在对晶圆加热之后，在晶圆表面生长氮化硅，其中所述安全浓度为警戒浓度与未能检测到的氧气浓度的预估值的差。所述制备氮化硅的方法中设定的安全浓度由于预留了对于未能检测到的氧气浓度的余量，因而保证了晶圆表面的氧气浓度不会超标，避免了由于氧气浓度超标而影响氮化硅生长工艺的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氮化 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制备氮化硅的方法，其特征在于，包括：提供晶圆；通入保护气体并检测晶圆表面的氧气浓度；若所检测的氧气浓度小于或等于安全浓度，则对晶圆加热；在对晶圆加热之后，在晶圆表面生长氮化硅，其中所述安全浓度为警戒浓度与未能检测到的氧气浓度的预估值的差。
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