[发明专利]形成膜层的方法有效
| 申请号： | 200710046495.1 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101399187A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 龚华;木建秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/31;G03F7/16;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成膜层的方法，包括下列步骤：将带有膜层的晶圆放置于热板上，烘烤膜层；将晶圆悬置于气体中，缓冲温差；将晶圆放置于冷板上，冷却膜层。本发明在晶圆从热板放置至冷板过程中，加入一个步骤，使晶圆悬置于空气中，由于空气的热传导系数比金属冷板要低，可以起到缓解晶圆温度急剧下降，有效降低热应力的产生，从而减少晶圆破裂事件的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种形成膜层的方法，其特征在于，包括下列步骤：将带有膜层的晶圆放置于热板上，烘烤膜层；将晶圆悬置于气体中，缓冲温差；将晶圆放置于冷板上，冷却膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710046495.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：栅极及NMOS晶体管的制作方法
- 下一篇：一种用于磁控管中上、下档片的组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
