[发明专利]一种肖特基二极管无效
申请号: | 200710046545.6 | 申请日: | 2007-09-27 |
公开(公告)号: | CN101132026A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 张宁;郁可;王有平;雷玮;张磊兢;朱自强 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/22;H01L29/41 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程宗德 |
地址: | 20024*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种新型的肖特基二极管,属于半导体器件制造技术领域。本发明提供的肖特基二极管包括:衬底、银电极层和单根超长ZnO纳米杆单晶材料。其中,银电极层设置在衬底上,超长ZnO杆状单晶材料粘结在银电极层上,电极层相互之间隔离存有间隙。本发明的制备方法是可以在宏观条件下手工完成,简单易行,重复性好,原料容易得到,制备成本低廉。采用的单根超长ZnO纳米杆单晶材料是一种具有独特形貌特征的ZnO宏观化结构材料,它的直径在纳米量级,而长度在毫米量级。 | ||
搜索关键词: | 一种 肖特基 二极管 | ||
【主权项】:
1.一种肖特基二极管,包括:衬底(1)、银电极层(2)和单晶材料(3)其特征在于其中单晶材料(3)直径为500~1000nm,长度为0.5~2mm,两端分别用导电银浆粘在银电极层(2)上;银电极层(2)是通过丝网印刷工艺将银浆印刷在绝缘衬底(1)上,厚度为0.1~0.5mm,电极间距为0.4mm。
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