[发明专利]晶圆背面粗糙化处理方法有效
| 申请号： | 200710046686.8 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101399196A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 苏晓平;江彤;马赟;田海谦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆背面粗糙化处理方法，涉及半导体的制造领域。该处理方法包括：提供由硫酸、硝酸钾和氟化氢铵混合形成的蚀刻溶液；采用防酸且隔热材料的薄膜将晶圆除背面的其他部分覆盖住；将晶圆放入上述蚀刻溶液中对晶圆背面进行湿法蚀刻。进一步地，该处理方法还包括将湿法蚀刻完成后的晶圆放入氢氧化钾溶液内进行处理。与现有技术相比，本发明提供的处理方法所使用的蚀刻溶液能够混合均匀，蚀刻晶圆表面的蚀刻速率和温度都是一致的，能够获得一致性较好的粗糙度，而且通过采用氢氧化钾溶液处理步骤，可以将湿法蚀刻步骤产生的黑点完全清除或者至少大部分清除掉。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 粗糙 处理 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种晶圆背面粗糙化处理方法，其特征在于，该处理方法包括：提供由硫酸、硝酸钾和氟化氢铵混合形成的蚀刻溶液；采用防酸且隔热材料的薄膜将晶圆除背面的其他部分覆盖住；将晶圆放入上述蚀刻溶液中对晶圆背面进行湿法蚀刻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710046686.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
