[发明专利]一种可提高平整度的像素电极制造方法有效

专利信息
申请号: 200710046689.1 申请日: 2007-09-29
公开(公告)号: CN101399224A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 蒲贤勇;陈轶群;刘伟;曾贤成 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/822 分类号: H01L21/822;H01L21/71;G02F1/1362
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所 代理人: 屈 蘅;李时云
地址: 2012*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种可提高平整度的像素电极制造方法,其制作在具有控制电路、层叠在控制电路上的顶层金属和保护氧化层的硅基板上。现有技术制作像素电极时易使网格状氧化物产生凸起从而影响像素电极的平整度进而影响硅基液晶的性能。本发明的像素电极制造方法先光刻并刻蚀出用于将顶层金属分隔成多个像素电极的网格状氧化物图形;再沉积隔离氧化层;之后在隔离氧化层上涂覆光刻胶并光刻出像素电极的图形;然后依照该像素电极的图形刻蚀该隔离氧化层并去除光刻胶;接着沉积平坦氧化层以平坦硅基板表面;最后进行无掩模的刻蚀以形成网格状氧化物和像素电极。通过本发明可大大提高像素电极的平整度,进而提高硅基液晶的性能,特别是显示对比度的提高。
搜索关键词: 一种 提高 平整 像素 电极 制造 方法
【主权项】:
1、一种可提高平整度的像素电极制造方法,该像素电极制作在硅基板上,该硅基板上具有控制电路、层叠在控制电路上的顶层金属以及保护氧化层,该方法包括以下步骤:(1)光刻并刻蚀出网格状氧化物图形,其中,该网格状氧化物用于将顶层金属分隔成多个像素电极;(2)依据所刻蚀出的网格状氧化物图形沉积隔离氧化层;(3)在隔离氧化层上涂覆光刻胶并光刻出像素电极的图形;(4)依照该像素电极的图形刻蚀该隔离氧化层并去除光刻胶;(5)进行无掩模的刻蚀以形成网格状氧化物和像素电极,其特征在于,该方法在步骤(4)与步骤(5)间还具有沉积一平坦氧化层以平坦该硅基板表面的步骤。
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