[发明专利]曝光修正方法有效
| 申请号： | 200710046798.3 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101398629A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 杨青 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种曝光修正方法，包括：对根据版图形成的光罩分别进行X极曝光和Y极曝光；采集所述光罩的对比度分布；根据所述对比度分布获得对比度分组间隔，并以对比度分组间隔将对比度数据分组；设置对应于每一对比度分组的修正值，并分别调试各分组修正值，使得各对比度分组所对应的版图图形经修正写入光罩后，在曝光后的对比度达到光刻工艺设计要求，将所述修正值应用于版图上。所述曝光修正方法弥补了现有技术修正的局限性，因而避免了曝光后实际器件图形与原版图图形存在误差，影响光刻精度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 修正 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种曝光修正方法，其特征在于，包括，对根据版图形成的光罩分别进行X极曝光和Y极曝光；采集所述光罩的对比度分布；根据所述对比度分布获得对比度分组间隔，并以对比度分组间隔将对比度数据分组；设置对应于每一对比度分组的修正值，并分别调试各分组修正值，使得各对比度分组所对应的版图图形经修正写入光罩后，在曝光后的对比度达到光刻工艺设计要求。
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