[发明专利]制作微反射镜层及硅基液晶显示器的方法有效
| 申请号： | 200710046809.8 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101398579A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 毛剑宏;王辛;朱也方 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L21/027;H01L21/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种制作微反射镜层的方法，包括：提供依次包含带有焊盘沟槽的金属层间介电层、缺陷微反射镜层和镜面保护层的半导体衬底，缺陷微反射镜层间有第一介质层进行隔离；在焊盘沟槽内填充满氧化层；去除镜面保护层及缺陷微反射镜层后，平坦化第一介质层和氧化层至露出绝缘层；在金属层间介电层及焊盘沟槽内的氧化层上形成金属层；在金属层上形成光刻胶层，定义微反射镜层图形；以光刻胶层为掩膜，蚀刻金属层至露出金属层间介电层，形成微反射镜层；去除光刻胶层，在微反射镜层间形成第二介质层。本发明还提供制作硅基液晶显示器的方法。本发明使最终形成的微反射镜层的大小一致，提高微反射镜层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 反射 液晶显示器 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制作微反射镜层的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供依次包含金属层间介电层、缺陷微反射镜层和镜面保护层的半导体衬底，所述金属层间介电层中有贯穿金属层间介电层且露出金属层间介电层下方焊盘连接层的焊盘沟槽，缺陷微反射镜层间有第一介质层进行隔离；在焊盘沟槽内填充满氧化层；去除镜面保护层及缺陷微反射镜层后，平坦化第一介质层和氧化层至露出绝缘层；在金属层间介电层及焊盘沟槽内的氧化层上形成金属层；在金属层上形成光刻胶层，定义微反射镜层图形；以光刻胶层为掩膜，蚀刻金属层至露出金属层间介电层，形成微反射镜层；去除光刻胶层，在微反射镜层间形成第二介质层。
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