[发明专利]栅极结构、快闪存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 200710046811.5 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101399204A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种栅极结构，包括：半导体衬底，位于半导体衬底上的隧穿氧化层，位于隧穿氧化层上的浮置栅极，位于浮置栅极两侧的半导体衬底中的源/漏极，位于源/漏极以外半导体衬底及浮置栅极上的栅间介电层，位于浮置栅极上的控制栅极及位于浮置栅极和控制栅极以外的层间介电层，所述控制栅极在字线方向包覆浮置栅极。本发明还提供一种栅极结构的制作方法、快闪存储器及制作方法。本发明浮置栅极与控制栅极在位线方向是堆叠式的，因此可以按工艺要求减小栅极的尺寸，提高半导体器件的集成度。同时，在字线方向控制栅极包覆浮置栅极，使擦除和编程效率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 闪存 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种栅极结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有隧穿氧化层和第一导电层；沿位线方向刻蚀第一导电层和隧穿氧化层至露出半导体衬底，形成与源/漏极位置对应的第一开口；沿第一开口向半导体衬底内注入离子，形成源/漏极；沿字线方向刻蚀第一导电层和隧穿氧化层至露出半导体衬底，形成浮置栅极；于浮置栅极和源/漏极区以外的半导体衬底上形成栅间介电层；在栅间介电层和半导体衬底上形成层间介电层；刻蚀层间介电层至露出浮置栅极上的栅间介电层，形成与控制栅极位置对应的第二开口；向第二开口内填充满第二导电层，形成在字线方向包覆浮置栅极的控制栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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