[发明专利]一种化学机械抛光工艺中确定研磨时间的方法

摘要

本发明提供一种化学机械抛光工艺中确定研磨时间的方法，该方法中所述研磨时间由自动处理系统反馈给用于化学机械抛光的设备；所述自动处理系统通过上述抛光设备最近若干批硅片的研磨参数来确定下一批硅片的研磨时间；所述研磨参数包括最近m批硅片各自的研磨时间、最近一次检测到的研磨速率Rt、及最近m批硅片的平均研磨速率Rm；通过Rt与Rm的比值来修正研磨时间。本发明揭示的在化学机械抛光工艺中确定研磨时间的方法，考虑到了每天CMP机台研磨速率的变化和差异，用修正系数Rt/Rm来修正研磨时间，这种方法确定的时间将更精确。

主权项

1、一种化学机械抛光工艺中确定研磨时间的方法，该方法中所述研磨时间由自动处理系统反馈给用于化学机械抛光的设备；所述自动处理系统通过上述抛光设备最近若干批硅片的研磨参数来确定下一批硅片的研磨时间；其特征在于，该方法包括以下步骤：A、获取最近m批硅片各自的研磨时间T(n)、T(n-1)、T(n-2)、......、T(n-m+1)，其中T(n)、T(n-1)、T(n-2)、......、T(n-m+1)为最近m批硅片各自的研磨时间，其中T(n)为第n批硅片的研磨时间、即最近一批硅片的研磨时间、即倒数第一批硅片的研磨时间，T(n-m+1)为倒数第m批硅片的研磨时间；B、根据步骤A中所述最近m批硅片各自的研磨时间T(n)、T(n-1)、T(n-2)、......、T(n-m+1)确定下一批硅片的模糊研磨时间T1；C、获取最近一次检测到的研磨速率Rt、最近m批硅片的平均研磨速率Rm，计算修正系数K，修正系数K在[Rt/Rm-0.3，Rt/Rm+0.3]的范围内；D、确定下一批硅片的研磨时间T(n+1)＝T1/K。