[发明专利]一种可改善微笑效应的沟槽隔离结构制作方法

摘要

本发明提供了一种可改善微笑效应的沟槽隔离结构制作方法，其制作在硅衬底中。现有技术中栅氧化层和多晶硅栅层的边缘直接与沟槽隔离结构接触易在高温氧化时被氧化而产生微笑效应。本发明的可改善微笑效应的沟槽隔离结构制作方法依次在该硅衬底上制作栅氧化层、多晶硅栅层和掩膜层；再在该掩模层上涂覆光阻并光刻出隔离沟槽图形；并依照该隔离沟槽图形进行刻蚀，且在刻蚀完栅氧化层时停止以形成一凹槽；之后去除光阻并沉积一氧化阻挡层；接着通过刻蚀在该凹槽侧壁上形成氧化阻挡层侧墙；然后通过掩模层和氧化阻挡层的掩模刻蚀硅衬底以形成隔离沟槽；最后填充该凹槽和隔离沟槽。采用本发明的制作方法可改善微笑效应及由其引起的器件性能变差的现象。

主权项

1、一种可改善微笑效应的沟槽隔离结构制作方法，该沟槽隔离结构制作在硅衬底中，该方法包括以下步骤：(1)在该硅衬底上制作栅氧化层；(2)在该栅氧化层上制作多晶硅栅层；(3)在该多晶硅栅层上制作掩膜层；(4)在该掩模层上涂覆光阻并光刻出隔离沟槽图形；其特征在于，该方法还包括以下步骤：(5)依照该隔离沟槽图形进行刻蚀，且在刻蚀完栅氧化层时停止以形成一凹槽；(6)去除光阻并沉积一氧化阻挡层；(7)通过刻蚀在该凹槽侧壁上形成氧化阻挡层侧墙；(8)通过掩模层和氧化阻挡层的掩模刻蚀硅衬底以形成隔离沟槽；(9)填充该凹槽和隔离沟槽。