[发明专利]涂层导体用CeO2薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200710047474.1 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101188152A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 潘成远;蔡传兵;高波;彭麟;刘志勇 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;H01B13/06;H01L39/24;B01J19/00;B05D5/12;B05D7/24;B05D3/02;C22F1/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种利用有机盐通过化学溶液法制备双轴织构的涂层导体缓冲层薄膜CeO2的技术工艺。通过将Ce(CH3COO)3·1.5H2O与丙酸、异丙醇和乙酰丙酮混合并加热搅拌配得前驱水溶液。再经过涂层使前驱溶液涂覆在金属衬底上，在800－1000℃高温热处理后即可得到双轴织构且表面均匀、致密且平整的涂层导体的CeO2薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 涂层 导体 ceo sub 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种涂层导体用CeO2薄膜的制备方法，其特征在于该方法的具体工艺如下：a.将烘烤过的醋酸铈溶解在异丙醇、丙酸和乙酰丙酮的混合溶液中，并在60℃～80℃加热搅拌，以配制成浓度为0.1～0.3mol/L的均匀透明溶液；将该溶液在50～90℃的温度烘烤3～10小时，即得到前驱溶液；其中所述的丙酸、异丙醇和乙酰丙酮的体积比为3.5～3∶1∶0.5～1；b.将上述的前驱溶液涂覆到双轴织构的金属Ni-w或LaAlO3单晶基片上；浸涂时，基片在前驱溶液中停留10～30s，再以1～4cm/min退出；旋涂时，匀胶机的转速为800～2000rpm，时间为20s～1min；c.将上述的涂覆有前驱溶液的基片在100℃～180℃烘烤10～20min后得到前驱凝胶膜；d.将上述的涂覆有前驱凝胶膜的基片放入通有Ar+5％H2的混合气的真空管式炉中退火：180℃温度下停留15min，再到800℃～1000℃，保温2h～4h，最后随炉冷却，即获得双轴织构，且表面均匀光滑的CeO2缓冲层薄膜。
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