[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200710047514.2 | 申请日： | 2007-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101419924A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构上具有介质层，在所述介质层中具有金属互连线；在所述金属互连线和介质层上形成铝金属层；在所述铝金属层上形成金属阻挡层；图形化所述金属阻挡层和铝金属层，形成引线焊垫；在所述金属阻挡层和介质层上、引线焊垫和金属阻挡层的侧壁形成钝化层；在所述钝化层中形成底部露出所述金属阻挡层的开口。本发明可避免或减少在铝引线焊垫表面或在铝引线焊垫中形成缺陷，提高并增强形成的铝引线焊垫的电学稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构上具有介质层，在所述介质层中具有金属互连线；在所述金属互连线和介质层上形成铝金属层；在所述铝金属层上形成金属阻挡层；图形化所述金属阻挡层和铝金属层，形成引线焊垫；在所述金属阻挡层和介质层上、引线焊垫和金属阻挡层的侧壁形成钝化层；在所述钝化层中形成底部露出所述金属阻挡层的开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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